在人工智能從決策智能向生成式智能、代理式智能演進的過程中，大規(guī)模算力集群作為“智能訓(xùn)練基地”，需依托數(shù)萬顆算力芯片組成的“計算網(wǎng)絡(luò)”完成海量數(shù)據(jù)訓(xùn)練。若將訓(xùn)練數(shù)據(jù)比作“信息載體”，光模塊則是傳輸這些載體的“核心工具”，而硅光集成技術(shù)，正逐步成為AI時代極具潛力的高效傳輸方案。

    光模塊傳輸能力對比
    不同傳輸方案在AI組網(wǎng)中承擔(dān)著差異化角色：電纜模塊傳輸距離僅為數(shù)米；LED光模塊覆蓋一二十米；VCSEL多模模塊可實現(xiàn)三五十米至兩百米的傳輸；EML單模模塊與硅光模塊則能覆蓋數(shù)百米至數(shù)公里，這一范圍恰好滿足AI大規(guī)模訓(xùn)練組網(wǎng)的核心需求。
    在數(shù)百米至數(shù)公里的關(guān)鍵傳輸區(qū)間，硅光模塊的主要競爭者為EML（電吸收調(diào)制激光器），而薄膜鈮酸鋰（TFLN）技術(shù)也正逐步加入競爭，形成三者共同角逐的技術(shù)格局。

    澄清認知：硅光優(yōu)勢并非“速率優(yōu)先”
    行業(yè)中存在一種常見誤解，認為硅光的核心優(yōu)勢在于傳輸速率。事實上，EML技術(shù)基于InP材料，自上世紀八十年代發(fā)展至今已相當成熟，速率可達448Gbps；薄膜鈮酸鋰同樣能實現(xiàn)這一速率；而硅光調(diào)制器目前在突破200Gbps方面仍面臨挑戰(zhàn)。448Gbps的PAM4信號需110GHz帶寬支撐，EML與TFLN均可滿足這一要求，硅光則需在60-70GHz帶寬下運行。

    硅光的核心競爭力，體現(xiàn)在更深層次的技術(shù)特性上。
    硅光集成技術(shù)的四大核心優(yōu)勢
    1.強集成能力：高良率支撐規(guī)?；瘧?yīng)用
    硅作為單元素半導(dǎo)體，無需復(fù)雜的外延生長及量子阱對接工藝，良率顯著高于EML。EML基于InP化合物半導(dǎo)體，單顆芯片需從晶圓中嚴格篩選，在集成陣列時良率呈指數(shù)級下降；而硅光可便捷實現(xiàn)多調(diào)制器、探測器、波分器件的集成，甚至能與激光器形成混合集成，為大規(guī)模組網(wǎng)提供集成化解決方案。
    2.電信號帶寬優(yōu)勢：高效支撐高速信號傳輸
    盡管硅光調(diào)制器自身帶寬約為55GHz，但硅基集成電路的成熟工藝賦予其獨特優(yōu)勢——高精度刻蝕技術(shù)使高速電信號（射頻信號）的傳輸帶寬可突破110GHz。相比之下，EML芯片雖能達到110GHz帶寬，但其傳統(tǒng)封裝工藝導(dǎo)致電信號互聯(lián)帶寬僅為50-70GHz，形成性能瓶頸。硅光在電信號傳輸上的高效性，為數(shù)據(jù)高速流動提供了有力支撐。
    3.3D封裝技術(shù)：實現(xiàn)光-電集成協(xié)同增效
    硅光芯片與硅基電芯片的3D封裝具備顯著協(xié)同優(yōu)勢。臺積電等企業(yè)采用的FlipChip（倒裝焊）技術(shù)，可實現(xiàn)硅光芯片與電芯片的高密度集成，而EML受材料特性限制，在封裝協(xié)同性上相對不足。這種“光-電”融合的封裝能力，進一步提升了硅光在系統(tǒng)級應(yīng)用中的效率。
    4.低成本與高密度潛力：規(guī)模化發(fā)展的核心優(yōu)勢
    硅基晶圓尺寸可達8英寸、12英寸（直徑300mm），而InP晶圓多為2-3英寸（直徑75mm）。若未來產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴大、工藝成熟，硅光憑借批量生產(chǎn)能力可顯著降低成本。同時，硅光波導(dǎo)具有小型化特性（彎曲半徑更?。茉谙嗤臻g內(nèi)實現(xiàn)更高集成密度，為AI集群的高密度部署提供支撐。

    技術(shù)競爭與發(fā)展前景
    在AI組網(wǎng)的500米至2公里核心傳輸區(qū)間，硅光、EML與薄膜鈮酸鋰形成了技術(shù)博弈格局。EML勝在速率成熟，薄膜鈮酸鋰兼具高速率與集成潛力，硅光則憑借集成化、低成本及高協(xié)同性穩(wěn)步發(fā)展。隨著AI算力需求從“萬卡集群”向更大規(guī)模升級，硅光集成技術(shù)憑借其綜合優(yōu)勢，正逐步成為AI大算力場景下的關(guān)鍵傳輸支撐，為智能時代的高效信息交互奠定基礎(chǔ)。